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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7478TRPBF, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7478TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3874
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16401Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD16401Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4741
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18532KCS, 169 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD18532KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4880
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7478PBF, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7478PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3871
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLR3717PBF, 120 A, Vds=20 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRLR3717PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7226
  
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• Nexperia P沟道 Si MOSFET PMN27UP, 5.7 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  PMN27UP
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2763
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16415Q5, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD16415Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4808
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMA910PZ, 9.4 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDMA910PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3488
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7478PBF, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7478PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-1768
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC046N02KS G, 80 A, Vds=20 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  BSC046N02KS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  752-8167
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDMA905P, 10 A, Vds=12 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 21 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDMA905P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3484
  
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