以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR44N80P, 25 A, Vds=800 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFR44N80P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-344
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM110N06-3M4L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SUM110N06-3M4L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5010
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR80N50Q3, 50 A, Vds=500 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFR80N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1459
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFX80N50Q3, 80 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFX80N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1500
  
• 
  查看其他仓库

• International Rectifier StrongIRFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFS7534TRL7PP, 225 A，240 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS7534TRL7PP
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  807-1564
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE50PBF, 7.8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFPE50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1089
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3006-7PPBF, 293 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3006-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7052
  
• 
  搜索

• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7769L2TR1PBF, 124 A, Vds=100 V, 11引脚 DirectFET L8封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7769L2TR1PBF
  品牌：
  International Rectifier
  库存编号：
  716-5390
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7534TRL7PP, 240 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS7534TRL7PP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  820-8861
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3006GPBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB3006GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5784
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL3006PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFSL3006PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5157
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon DirectFET, HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7749L1TRPBF, 375 A, Vds=60 V, 15引脚 DirectFET封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7749L1TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5205
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3415PBF, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF3415PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9232
  
• 
  搜索

• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPF50PBF, 6.7 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFPF50PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9901
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3006PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3006PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7061
  
• 
  搜索

• Infineon DirectFET, HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7749L2TR1PBF, 200 A, Vds=60 V, 11引脚 DirectFET L8封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7749L2TR1PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  716-5371
  
• 
  搜索

• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN80N50Q3, 63 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFN80N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  804-7583
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7534-7PPBF, 255 A, Vds=60 V, 7引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS7534-7PPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5094
  
• 
  查看其他仓库

• IXYS HiperFET, Polar 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFR64N60P
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  194-489
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3415SPBF, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF3415SPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  542-9248
  
• 
  搜索

• Vishay N沟道 MOSFET SUP75N03-04-E3, 75 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SUP75N03-04-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  655-6767
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3006PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB3006PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6908
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3415, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF3415
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  748-1784
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3415PBF, 43 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP3415PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4016
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3006PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 200 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP3006PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  879-3321
  
• 
  搜索