规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-268封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFT94N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4483
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STF8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF8NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6667
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH36N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
194-467
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO301SPH, 14.9 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSO301SPH
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9109
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP039N08B_F102, 171 A, Vds=80 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP039N08B_F102
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8537
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCB20N60_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FCB20N60_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1249
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STF8NK100Z, 6.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF8NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2855
搜索
IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH94N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4391
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFQ94N30P3, 94 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFQ94N30P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4470
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IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH36N60P, 36 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXFH36N60P
品牌:
IXYS
库存编号:
920-0763
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET BSO080P03SH, 14.9 A, Vds=30 V, 8引脚 DSO封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 102 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSO080P03SH
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5328
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