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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7331PBF, 7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7331PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  543-2058
  
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• Vishay 双 P沟道 MOSFET 晶体管 SI9934BDY-T1-E3, 4.8 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  SI9934BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3399
  
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• ON Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 NTLJS3113PT1G, 7.7 A, Vds=20 V, 6引脚 WDFN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  NTLJS3113PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0661
  
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• ROHM Si P沟道 MOSFET RZR025P01TL, 2.5 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  RZR025P01TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7835
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET EMH1307-TL-H, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 EMH封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  EMH1307-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0888
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18503Q5A, 145 A, Vds=40 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD18503Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4874
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17577Q5AT, 22 A, Vds=30 V, 8引脚 VSCONP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17577Q5AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  908-3837
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDT434P, 6 A, Vds=20 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDT434P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0772
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTB5605PT4G, 18.5A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  NTB5605PT4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0998
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC645N, 5.5 A, Vds=30 V, 6引脚 SSOT封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDC645N
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  903-4140
  
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