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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 147 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIRA00DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9367
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX78N50P3, 78 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 147 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFX78N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4509
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7650DC, 289 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 147 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS7650DC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5911
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG47N60E-GE3, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 147 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SiHG47N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9332
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK78N50P3, 78 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 147 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFK78N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4401
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS7650DC, 289 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 147 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS7650DC
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4939
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA00DP-T1-GE3, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 147 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIRA00DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4246
  
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