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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT3612, 3.7 A, Vds=100 V, 3引脚 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDT3612
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0778
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDC3612, 2.6 A, Vds=100 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDC3612
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9024
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7ANM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD7ANM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  792-5723
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220TRPBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR220TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0629
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18537NQ5AT, 54 A, Vds=60 V, 8引脚 VSON-FET封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  CSD18537NQ5AT
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9247
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 双 Si N沟道 MOSFET IPG20N04S4-12, 20 A, Vds=40 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPG20N04S4-12
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9115
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB17N25S3-100, 17 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB17N25S3-100
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9002
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPD30N03S2L-20, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD30N03S2L-20
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4580
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8051L, 10 A, Vds=40 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMA8051L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8170
  
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• DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMT5015LFDF-7, 11.5 A, Vds=50 V, 6引脚 UDFN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  DMT5015LFDF-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1164
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD7NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-1988
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF620PBF, 5.2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF620PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0052
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRF624SPBF, 4.4 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF624SPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-2036
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF8N50NZF, 7 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF8N50NZF
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4894
  
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• Infineon SIPMOS 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSO615N G, 2.6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSO615N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2797
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP114N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP114N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5496
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD8NM50N, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD8NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9944
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF7NM60N, 5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF7NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2843
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9214TRPBF, 2.7 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR9214TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0650
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR1N60ATRPBF, 1.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR1N60ATRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2777
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPD09P06PLG, 9.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPD09P06PLG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9074
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP295, 1.8 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSP295
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  445-2269
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR220PBF, 4.8 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR220PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  540-9597
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR224PBF, 3.8 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR224PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9945
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP8N50NZ, 8 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 14 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP8N50NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4879
  
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