以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP030N06, 120 A，193 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 116 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP030N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3541
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB029N06, 120 A，193 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 116 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB029N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0799
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P04P4-05, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 116 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB80P04P4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4540
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P04P4-05, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 116 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI80P04P4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6808
  
• 
  搜索

• Infineon P沟道 MOSFET 晶体管 IPP80P04P4-05, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 116 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80P04P4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7012
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDI030N06, 193 A, Vds=60 V, 3引脚 I2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 116 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDI030N06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8164
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S2-H5, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 116 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S2-H5
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6980
  
• 
  搜索