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• ROHM P沟道 Si MOSFET RZF030P01TL, 3 A, Vds=12 V, 3引脚 TUMT封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  RZF030P01TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7829
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB042N03LG, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IPB042N03LG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-9462
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD18531Q5A, 134 A, Vds=60 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD18531Q5A
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4886
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPD040N03LGBTMA1, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IPD040N03LGBTMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4562
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPS040N03L G, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IPS040N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2138
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IRFU3711ZPBF, 93 A, Vds=20 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU3711ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7140
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET ECH8309-TL-H, 9.5 A, Vds=12 V, 8引脚 ECH封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  ECH8309-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-9428
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7311PBF, 6.6 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7311PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  610-6687
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7805ZPBF, 16 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7805ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4053
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 P沟道 Si MOSFET FDC606P, 6 A, Vds=12 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDC606P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9033
  
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• ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTGS3136PT1G, 5.8 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  NTGS3136PT1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  780-0563
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17303Q5, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD17303Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4820
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7530TRPBF, 5.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7530TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-754
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP042N03L G, 70 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IPP042N03L G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2368
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7530TRPBF, 5.4 A, Vds=20 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7530TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4729
  
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