规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF9410PBF, 7 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0323
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9120PBF, 1 A, Vds=100 V, 4引脚 HVMDIP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFD9120PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0553
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP7A17GTA, 3.7 A, Vds=70 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
ZXMP7A17GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2478
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC20GPBF, 1.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFIBC20GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4783
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ097N04LS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSZ097N04LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5367
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD105N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5468
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB14N30TM, 14 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB14N30TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8949
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK100Z, 2.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD3NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9900
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4850EY-T1-GE3, 8.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9014
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFSL4020PBF, 18 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFSL4020PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5835
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0828
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0830
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI7850DP-T1-E3, 6.2 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI7850DP-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5659
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRF9520SPBF, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9520SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
650-4154
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFU4105ZPBF, 30 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFU4105ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-7156
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Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPD70N10S3-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD70N10S3-12
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3027
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD7NM80-1, 6.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD7NM80-1
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2717
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQD12N20TM, 9 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQD12N20TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9008
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9120TRPBF, 5.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR9120TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0648
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFRC20TRPBF, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFRC20TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0663
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Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD33CN10NG, 27 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPD33CN10NG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5066
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF5N50CYDTU, 5 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQPF5N50CYDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-8779
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9520PBF, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9520PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0026
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4850EY-T1-E3, 6 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4850EY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5652
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD3NK100Z, 2.5 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 18 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD3NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1987
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