以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404ZSPBF, 190 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1404ZSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  651-8759
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA62N25C, 62 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQA62N25C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4957
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS4127PBF, 72 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS4127PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7096
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404ZS, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1404ZS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7695
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK35A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  799-5110
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP80P03P4-05, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80P03P4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7019
  
• 
  搜索

• IXYS X2-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXTH62N65X2, 62 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXTH62N65X2
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  917-1417
  
• 
  查看其他仓库

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP42N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5201
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STW42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW42N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  687-5223
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4127PBF, 76 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4127PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6936
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF1404Z, 180 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRF1404Z
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  715-7689
  
• 
  搜索

• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTP6411ANG, 77 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NTP6411ANG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  719-2963
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STB42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB42N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0402
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET F3 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STH240N75F3-6, 180 A, Vds=75 V, 8引脚 H2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STH240N75F3-6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0516
  
• 
  查看其他仓库

• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDP7060, 75 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NDP7060
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-1249
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK35N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  827-6208
  
• 
  搜索

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK35A65W,S5X(M
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2353
  
• 
  查看其他仓库

• Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TK35N65W,S1F(S
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  896-2357
  
• 
  查看其他仓库

• Vishay E Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHB33N60E-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIHB33N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4478
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPD90P03P4-04, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD90P03P4-04
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4343
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STL220N6F7, 260 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STL220N6F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  907-4760
  
• 
  搜索

• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP42N65M5, 33 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP42N65M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8828
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404ZPBF, 190 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF1404ZPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6813
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPB80P03P4-05, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB80P03P4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4534
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPI80P03P4-05, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 100 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI80P03P4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6791
  
• 
  搜索