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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN2R0-30PL, 100 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 117 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN2R0-30PL
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2928
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 124 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 117 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS86500L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4897
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF75, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 117 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP75NF75
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8840
  
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• STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF75, 80 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 117 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP75NF75
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  485-7844
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP047N08, 164 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 117 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP047N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9667
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500L, 158 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 117 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS86500L
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9645
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIS415DNT-T1-GE3, 22 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 117 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIS415DNT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1304
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STH150N10F7-2, 110 A, Vds=100 V, 3引脚 H2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 117 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STH150N10F7-2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  860-7523
  
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