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• Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP171P, 1.9 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSP171P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  167-942
  
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• Toshiba P沟道 MOSFET 晶体管 TPC6108(TE85L,F), 4.5 A, Vds=30 V, 6引脚 VS封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TPC6108(TE85L,F)
  品牌：
  Toshiba
  库存编号：
  415-336
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFI9610GPBF, 2 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI9610GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-2193
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQU11P06TU, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQU11P06TU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5335
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019H-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4019H-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  700-3198
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 29 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC86102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6314
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ105N04NS G, 40 A, Vds=40 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ105N04NS G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5361
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC3512, 3 A, Vds=80 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDC3512
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9011
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 N沟道 Si MOSFET STD20NF06LT4, 24 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD20NF06LT4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0411
  
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• Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDU7N60NZTU, 5.5 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDU7N60NZTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-0710
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF11P06, 6.1 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQPF11P06
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5885
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ100N03LSG, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 TSDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSZ100N03LSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5142
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CP, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD50R520CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-5334
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86102, 20 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC86102
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4774
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD26AN06A0_F085, 36 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD26AN06A0_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8067
  
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• Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRFI4019HG-117P, 8.7 A, Vds=150 V, 5引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFI4019HG-117P
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  907-5113
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET 晶体管 IRFR9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFR9310PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  535-3270
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFU9310PBF, 1.8 A, Vds=400 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFU9310PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9967
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDM3622, 4.4 A, Vds=100 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDM3622
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0371
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQD11P06TM, 9.4 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQD11P06TM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0949
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4019PBF, 17 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB4019PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6920
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMC86324, 30 A, Vds=80 V, 8引脚 Power 33封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMC86324
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6311
  
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• Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPD60R950C6, 4.4 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD60R950C6
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3015
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPA03N60C3, 3.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPA03N60C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3138
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDS8935, 2.1 A, Vds=80 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 13 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDS8935
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9702
  
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