规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET SPD50P03L G, 50 A, Vds=30 V, 5引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPD50P03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8495
搜索
Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPP21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3207
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315SPBF, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF3315SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
301-158
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW11NK90Z, 9.2 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW11NK90Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0266
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Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 SPI21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPI21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8772
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Infineon N沟道 MOSFET IPP80N06S2L-07, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPP80N06S2L-07
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8388
搜索
Infineon CoolMOS CFD 系列 Si N沟道 MOSFET SPP20N60CFD, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPP20N60CFD
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3204
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB035AN06A0, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB035AN06A0
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8927
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRF3315S, 21 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
AUIRF3315S
品牌:
Infineon
库存编号:
784-9124
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB035AN06A0_F085, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB035AN06A0_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7950
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF3315PBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF3315PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
542-9226
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Vishay N沟道 Si MOSFET SUM45N25-58-E3, 45 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SUM45N25-58-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5026
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7656AS, 194 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMS7656AS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-4787
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Infineon Si N沟道 MOSFET SPB21N50C3, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPB21N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3162
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI21N50C3XKSA1, 21 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPI21N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8781
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NDPL180N10BG, 180 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 95 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NDPL180N10BG
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
882-9783
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