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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFPE30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9872
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDB2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB2710
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-8961
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA02DP-T1-GE3, 50 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIRA02DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9361
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBE30PBF, 4.1 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFBE30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1124
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8460, 167 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS8460
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4844
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET FCB20N60F_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FCB20N60F_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  774-1133
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R2-30YLC, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN1R2-30YLC
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  798-2906
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFH42N60P3, 42 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH42N60P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4376
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD19535KCS, 187 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  CSD19535KCS
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4915
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FCB20N60F_F085, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FCB20N60F_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4762
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET BSC082N10LS G, 100 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC082N10LSG
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4312
  
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• NXP Si N沟道 MOSFET PSMN1R2-30YLC, 100 A, Vds=30 V, 4引脚 SOT-669封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PSMN1R2-30YLC
  品牌：
  Nexperia
  库存编号：
  103-8122
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPF30PBF, 3.6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFPF30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2752
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF2710T, 25 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF2710T
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8590
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBF30PBF, 3.6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFBF30PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9557
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7658AS, 177 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS7658AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-4781
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP2710, 50 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 78 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDP2710
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8546
  
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