品牌:Vishay,规格:典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC40GPBF, 3.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Vishay,规格:典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFIBC40GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-1332
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC40PBF, 6.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Vishay,规格:典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFPC40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9822
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4186DY-T1-GE3, 36 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4186DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3209
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC40STRL-GE3, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIHFBC40STRL-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2705
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFBC40PBF, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFBC40PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9513
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Vishay Si N沟道 MOSFET SIR862DP-T1-GE3, 32 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SIR862DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
814-1297
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