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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD90N03S4L-03, 90 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD90N03S4L-03
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7479
  
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• STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW43N60DM2, 34 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW43N60DM2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  111-6483
  
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• Magnatec Si P沟道 MOSFET IRF9140, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRF9140
  品牌：
  Magnatec
  库存编号：
  189-0955
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIBC40GPBF, 3.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFIBC40GPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1332
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC40PBF, 6.8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFPC40PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9822
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFS52N15DPBF, 51 A, Vds=150 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS52N15DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  639-1863
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQAF16N50, 11.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PF封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQAF16N50
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4991
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB21NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9837
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STP26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP26NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0083
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STW21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW21NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0294
  
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• STMicroelectronics FDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF21NM60ND, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF21NM60ND
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2789
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRL2203N, 75 A, 116 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRL2203N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9212
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL110N10F7, 110 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STL110N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3726
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 N沟道 Si MOSFET IXFQ34N50P3, 34 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3P封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFQ34N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4455
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB38N20DPBF, 43 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB38N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3944
  
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• Infineon OptiMOS T 系列 Si N沟道 MOSFET IPB70N10S3L-12, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB70N10S3L-12
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4495
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRFB38N20DPBF, 44 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB38N20DPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5803
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STF26NM60N, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF26NM60N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  103-2000
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA11N90C_F109, 11 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQA11N90C_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4890
  
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• IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH34N50P3, 34 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH34N50P3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  802-4372
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4186DY-T1-GE3, 36 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4186DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3209
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIHFBC40STRL-GE3, 6.2 A, Vds=600 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIHFBC40STRL-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2705
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP190N65F, 20 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FCP190N65F
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7903
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8453LZ_F085, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD8453LZ_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8120
  
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• STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STL110N10F7, 110 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerFLAT封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 60 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STL110N10F7
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6648
  
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