规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 ATP216-TL-H, 35 A, Vds=50 V, 3引脚 ATPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
ATP216-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0774
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ROHM Si P沟道 MOSFET RZR040P01TL, 4 A, Vds=12 V, 3引脚 TSMT封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
RZR040P01TL
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7838
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Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD17556Q5B, 215 A, Vds=30 V, 8引脚 VSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
CSD17556Q5B
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
827-4864
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7862PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRF7862PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
495-887
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD4804NT4G, 117 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTD4804NT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7881
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFH8316TRPBF, 120 A, Vds=30 V, 8引脚 PQFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRFH8316TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5008
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si P沟道 MOSFET STL42P6LLF6, 42 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerFLAT封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 30 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
STL42P6LLF6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5685
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