规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9014PBF, 5.1 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
540-9604
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET IRFD9014PBF, 1.1 A, Vds=60 V, 4引脚 HVMDIP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFD9014PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0733
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N100TM, 1.6 A, Vds=1000 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQD2N100TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0999
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD4NK50ZT4, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD4NK50ZT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5153
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPB17N80C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8482
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STP4NK50ZD, 3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP4NK50ZD
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0134
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET MTD5P06VT4G, 5 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
MTD5P06VT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-6236
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NXP Si N沟道 MOSFET PSMN014-40YS, 46 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PSMN014-40YS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2839
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDC653N, 5 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDC653N
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0868
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD7N25LZTM, 6.2 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD7N25LZTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0931
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ROHM Si P沟道 MOSFET RRQ030P03TR, 3 A, Vds=30 V, 6引脚 TSMT封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
RRQ030P03TR
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7740
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA86551L, 7.5 A, Vds=60 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMA86551L
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8174
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IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP8N65X2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IXTP8N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1479
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Infineon HEXFET 系列 双 Si N沟道 MOSFET IRF7103PBF, 3 A, Vds=50 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF7103PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4845
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFL9014TRPBF, 1.8 A, Vds=60 V, 4引脚 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFL9014TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
919-5643
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Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9Z14PBF, 6.7 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRF9Z14PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9478
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Fairchild Semiconductor Si P沟道 MOSFET FQD8P10TM, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQD8P10TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-1043
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI4464DY-T1-GE3, 1.7 A, Vds=200 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI4464DY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3333
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP3130L-7, 3.5 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
DMP3130L-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4275
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Infineon HEXFET 系列 P沟道 MOSFET 晶体管 IRLHS2242TR2PBF, 15 A, Vds=20 V, 6引脚 PQFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRLHS2242TR2PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
760-4422
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Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDD10N20LZTM, 7.6 A, Vds=200 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDD10N20LZTM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
772-9124
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP8P10, 5.7 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQP8P10
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
807-5879
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ROHM Si N沟道 MOSFET ZDS020N60TB, 630 mA, Vds=600 V, 8引脚 SC-87封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
ZDS020N60TB
品牌:
ROHM
库存编号:
826-7832
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Infineon CoolMOS CE 系列 Si N沟道 MOSFET IPU80R2K8CEBKMA1, 1.9 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-251封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IPU80R2K8CEBKMA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7104
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FQPF2N80YDTU, 1.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 12 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQPF2N80YDTU
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
862-8760
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