规格:典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301PBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRF7301PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
541-0698
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8734PBF, 21 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRF8734PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
688-6891
搜索
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP95N3LLH6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
STP95N3LLH6
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0203
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD6415ANLT4G, 23 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTD6415ANLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1030
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Infineon HEXFET 系列 双 N沟道 Si MOSFET IRF7301TRPBF, 5.2 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
IRF7301TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
826-8847
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC042N03MSG, 93 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
BSC042N03MSG
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5312
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTMS5P02R2G, 2.7 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTMS5P02R2G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-4254
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC030N03LSG, 100 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 20 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
BSC030N03LSG
品牌:
Infineon
库存编号:
825-9112
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