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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFR8405, 100 A, 211 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFR8405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-0994
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFU8405, 100 A, 211 A, Vds=40 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFU8405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-1045
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI120N04S4-02, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI120N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4657
  
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• Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHB33N60EF-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SiHB33N60EF-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4481
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N04S2-H4, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI80N04S2-H4
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6750
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB120N04S4-02, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB120N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-8655
  
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• Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG33N60EF-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SiHG33N60EF-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4484
  
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• Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHP33N60EF-GE3, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SiHP33N60EF-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  903-4487
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N04S2-H4, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80N04S2-H4
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6962
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8840NZ, 18.6 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 103 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDS8840NZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8717
  
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