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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IRFU9120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  541-1275
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench, SyncFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDS6670AS, 13.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  FDS6670AS
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0586
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF7N80C, 6.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  FQPF7N80C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5310
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9332PBF, 9.8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IRF9332PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  737-7329
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  STF14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-2754
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ATP202-TL-H, 50 A, Vds=30 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  ATP202-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  792-5228
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET ATP206-TL-H, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 ATPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  ATP206-TL-H
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  800-9500
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD19P06-60L_GE3, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  SQD19P06-60L_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3936
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NTRPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IRFR9120NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4082
  
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• Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPI50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IPI50R250CP
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4697
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPP060N06N, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IPP060N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  892-2276
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NTRPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IRFR9120NTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4795
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF9520NSPBF, 6.8 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IRF9520NSPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-4160
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  STP14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0011
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET BSZ042N06NS, 40 A, Vds=60 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  BSZ042N06NS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4390
  
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• Infineon OptiMOS 5 系列 Si N沟道 MOSFET IPD053N06N, 45 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IPD053N06N
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4491
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IRFR9120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  919-4716
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR9120NPBF, 6.6 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IRFR9120NPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  301-057
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQA7N80C_F109, 7 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  FQA7N80C_F109
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4960
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDD2670, 3.6 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  FDD2670
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9061
  
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• STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD14NM50N, 12 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  STD14NM50N
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9547
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP16N25, 16 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  FQP16N25
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  807-5869
  
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• Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCPF650N80Z, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  FCPF650N80Z
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7929
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP7N80C, 6.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  FQP7N80C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5180
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 Si MOSFET IRF530A, 14 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 10 V 时，27 常闭,
• 制造商零件编号：
  IRF530A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5367
  
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