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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMA8878, 10 A, Vds=30 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMA8878
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  806-3481
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STP5N60M2, 3.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP5N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-4433
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP2N60C, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP2N60C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5076
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF2N60C, 2 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQPF2N60C
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5244
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQU2N60CTU, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQU2N60CTU
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5357
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQD2N60CTM, 1.9 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQD2N60CTM
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-9017
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STU5N60M2, 3.5 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.5 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STU5N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  829-1487
  
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