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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STD6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD6N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3615
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSC750N10ND G, 13 A, Vds=100 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC750N10ND G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  754-5327
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDC2512, 1.4 A, Vds=150 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDC2512
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9009
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STF6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STF6N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3662
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQ9945BEY-T1_GE3, 5.4 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SQ9945BEY-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9474
  
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• DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET ZXMD63N03XTA, 2.3 A, Vds=30 V, 8引脚 MSOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  ZXMD63N03XTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  823-3166
  
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• ROHM Si N沟道 MOSFET RSD050N06TL, 5 A, Vds=60 V, 3引脚 SC-63封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  RSD050N06TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7759
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10N G, 13 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD78CN10N G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  897-7242
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STU6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 IPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STU6N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  791-7942
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI4823DY-T1-GE3, 3.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4823DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1283
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI5468DC-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI5468DC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1324
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STB6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB6N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3580
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 Si N沟道 MOSFET STP6N60M2, 4.5 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP6N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  786-3801
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQS462EN-T1_GE3, 8 A, Vds=60 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SQS462EN-T1_GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9525
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI6954ADQ-T1-GE3, 3.1 A, Vds=30 V, 8引脚 TSSOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI6954ADQ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1371
  
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• Infineon OptiMOS 2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD78CN10NG, 13 A, Vds=100 V, 3针+焊片 PG-TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD78CN10NGBUMA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  914-0188
  
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