规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR4101PT1G, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTR4101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5071
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Vishay SQ Rugged 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SQ3426EEV-T1-GE3, 7 A, Vds=60 V, 6引脚 TSOP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
SQ3426EEV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9456
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ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTHS5443T1G, 4.9 A, Vds=20 V, 8引脚 ChipFET封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTHS5443T1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-1055
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC080N03LS G, 53 A, Vds=30 V, 8引脚 TDSON封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
BSC080N03LS G
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8160
搜索
ON Semiconductor ECH8601M-TL-H, 双 N沟道 MOSFET 晶体管, 8 A, Vds=24 V, 8针 ECH封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
ECH8601M-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
791-9434
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ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET NTR4101PT1G, 2.4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTR4101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
688-9152
搜索
Vishay N沟道 MOSFET SI2312BDS-T1-GE3, 3.9 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
SI2312BDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3254
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Microchip MCP87 系列 Si N沟道 MOSFET MCP87090T-U/MF, 64 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
MCP87090T-U/MF
品牌:
Microchip
库存编号:
775-7407
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MCH6436-TL-E, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 MCPH封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
MCH6436-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
802-0958
搜索
Microchip MCP87 系列 N沟道 Si MOSFET MCP87090T-U/LC, 48 A, Vds=25 V, 8引脚 DFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
MCP87090T-U/LC
品牌:
Microchip
库存编号:
775-7403
搜索
ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTRV4101PT1G, 1.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7.5 nC @ 4.5 V,
制造商零件编号:
NTRV4101PT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
808-0039
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