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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB155N3H6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9480
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH30N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1386
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S405ATMA2, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB80N06S405ATMA2
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8995
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STL36N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-3113
  
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• IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFT30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-268封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFT30N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  801-1465
  
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• ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTB60N06T4G, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  NTB60N06T4G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  802-0992
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4164DY-T1-GE3, 30 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4164DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3198
  
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• IXYS HiperFET, Q-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFH30N50Q3, 30 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IXFH30N50Q3
  品牌：
  IXYS
  库存编号：
  920-0965
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STP36N55M5, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP36N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  783-2964
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S2L-11, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S2L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6776
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP80N06S4-05, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP80N06S4-05
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6990
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 Si MOSFET STL36N55M5, 22 A, Vds=600 V, 5引脚 PowerFLAT HV封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STL36N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8714
  
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• STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STD155N3H6, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STD155N3H6
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9544
  
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• Infineon COOLiRFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS8403, 123 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS8403
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  787-0998
  
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• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET IPB80N06S2L-11, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB80N06S2L-11
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4524
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI80N06S405, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI80N06S405
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6785
  
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• STMicroelectronics MDmesh M5 系列 Si N沟道 MOSFET STW36N55M5, 33 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 62 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW36N55M5
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-8717
  
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