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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707PBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF8707PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  495-871
  
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• ON Semiconductor P沟道 Si MOSFET NTGS3441T1G, 1.65 A, Vds=20 V, 6引脚 TSOP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  NTGS3441T1G
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  791-6280
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16323Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD16323Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4707
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707GTRPBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF8707GTRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  865-5774
  
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• ON Semiconductor N沟道 GaN MOSFET NTP8G202NG, 9 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  NTP8G202NG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  882-9834
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16327Q3, 60 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  CSD16327Q3
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4729
  
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• ON Semiconductor N沟道 GaN MOSFET NTP8G206NG, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  NTP8G206NG
  品牌：
  ON Semiconductor
  库存编号：
  882-9843
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF8707TRPBF, 11 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF8707TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  915-4976
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 N沟道 Si MOSFET FDS9926A, 6.5 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  FDS9926A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0769
  
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• ROHM Si N沟道 MOSFET RTR030N05TL, 3 A, Vds=45 V, 3引脚 TSMT封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 6.2 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  RTR030N05TL
  品牌：
  ROHM
  库存编号：
  826-7793
  
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