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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLS3036PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRLS3036PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7263
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7410TRPBF, 16 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7410TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8910
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7410PBF, 16 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-3926
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7410TRPBF, 16 A, Vds=12 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7410TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  913-4770
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7410PBF, 16 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRF7410PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  650-3921
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLB3036PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRLB3036PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7213
  
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• Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLSL3036PBF, 270 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 4.5 V,
• 制造商零件编号：
  IRLSL3036PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  830-3398
  
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