规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5997DU-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI5997DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1365
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STU2N80K5, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STU2N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1478
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD3N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD3N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7079
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTMFS5C673NLT1G, 50 A, Vds=60 V, 5引脚 DFN封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NTMFS5C673NLT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
922-9581
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Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSP372N H6327, 1.8 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
BSP372N H6327
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7754
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STU1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STU1HN60K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-7949
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STMicroelectronics MDmesh K3, SuperMESH3 系列 N沟道 Si MOSFET STD1HN60K3, 1.2 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD1HN60K3
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
791-9289
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP3N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP3N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4436
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STD3NM60N, 3.3 A, Vds=650 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD3NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
783-2905
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD15N06-42L_GE3, 15 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SQD15N06-42L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9478
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STU3N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STU3N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-1475
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STP2N80K5, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP2N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4424
搜索
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF3N80K5, 2.5 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF3N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4531
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL014NTRPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRLL014NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
830-3307
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLL014NPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRLL014NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4738
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL014NPBF, 2.8 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRLL014NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
302-000
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STF2N80K5, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF2N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-4534
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STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 N沟道 Si MOSFET STD2N80K5, 2 A, Vds=800 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD2N80K5
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
829-7072
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPU02N60C3, 1.8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-251封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 9.5 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SPU02N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
897-7210
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