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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPI90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-262封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPI90N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-6811
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPP90N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-7031
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPD100N04S4-02, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPD100N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  110-7111
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB088N08, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB088N08
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  759-9465
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2-4, 52 A, Vds=650 V, 4引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW56N60M2-4
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5724
  
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• Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA17N80C3, 17 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SPA17N80C3
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-3153
  
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• Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDD8870, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD8870
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  809-0950
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRLS3036TRL, 195 A，270 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRLS3036TRL
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  831-2702
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB8444_F085, 70 A, Vds=40 V, 2针+焊片 TO-263AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDB8444_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-7991
  
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• Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS015N04B, 100 A, Vds=40 V, 8引脚 Power 56封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMS015N04B
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  772-9165
  
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• Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRLS3036, 195 A，270 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRLS3036
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9240
  
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• Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPB90N04S4-02, 90 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IPB90N04S4-02
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  857-4565
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD8870_F085, 160 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDD8870_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8133
  
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• STMicroelectronics MDmesh M2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60M2, 52 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 91 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW56N60M2
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  876-5720
  
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