规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDP3632
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4828
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STB34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
760-9500
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STP34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0106
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STF34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STF34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2815
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP75NF20, 75 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STP75NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2925
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Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB3632, 12 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB3632
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0334
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Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB47P06TM_AM002, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQB47P06TM_AM002
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0905
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 P沟道 Si MOSFET FQPF47P06, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQPF47P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5269
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB3632_F085, 80 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB3632_F085
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7988
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB75NF20, 75 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB75NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5077
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB75NF20, 75 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STB75NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6664
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Vishay N沟道 Si MOSFET IRFPC50LCPBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFPC50LCPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
541-0200
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP448PBF, 11 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFP448PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9793
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si P沟道 MOSFET FQP47P06, 47 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FQP47P06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5127
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Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDB024N04AL7, 219 A, Vds=40 V, 7引脚 D2PAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDB024N04AL7
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9462
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STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW34NM60N, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW34NM60N
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0323
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STW75NF20, 75 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STW75NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2934
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NVD5890NLT4G, 123 A, Vds=40 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
NVD5890NLT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-4428
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFR7740PBF, 87 A, Vds=75 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 84 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFR7740PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
879-3337
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