规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STD1NK60T4, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD1NK60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5181
搜索
Fairchild Semiconductor P沟道 MOSFET 晶体管 FDFMA2P029Z, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDFMA2P029Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6197
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDN5630, 1.7 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDN5630
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0472
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDS8447, 12.8 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDS8447
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-0693
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STQ1HNK60R-AP, 400 mA, Vds=600 V, 3引脚 TO-92封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STQ1HNK60R-AP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
714-6796
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI5936DU-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
SI5936DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1356
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL014NTRPBF, 2.7 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFL014NTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3984
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STN1HNK60, 400 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STN1HNK60
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-6591
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Fairchild Semiconductor 双 P沟道 MOSFET 晶体管 FDMA1029PZ, 3.1 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
FDMA1029PZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
739-6226
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD1NK60-1, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-251封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD1NK60-1
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-2704
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFL014NPBF, 2.7 A, Vds=55 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
IRFL014NPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1651
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STN1HNK60, 400 mA, Vds=600 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STN1HNK60
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5131
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NXP N沟道 Si MOSFET PMV213SN,215, 1.9 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-236AB封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
PMV213SN,215
品牌:
Nexperia
库存编号:
725-8326
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STD1NK60T4, 1 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型栅极电荷@Vgs 7 nC @ 10 V,
制造商零件编号:
STD1NK60T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
920-8727
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