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• Taiwan Semiconductor Si N沟道 MOSFET TSM2310CX RFG, 4 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  TSM2310CX RFG
  品牌：
  Taiwan Semiconductor
  库存编号：
  743-6052
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN3A14FTA, 3.9 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  ZXMN3A14FTA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  708-2579
  
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• NXP N沟道 MOSFET 晶体管 PMV22EN, 5.2 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  PMV22EN
  品牌：
  NXP
  库存编号：
  798-2794
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si P沟道 MOSFET FDN5618P, 1.25 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDN5618P
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-0463
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si P沟道 MOSFET FDMA1023PZ, 3.7 A, Vds=20 V, 6引脚 MLP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDMA1023PZ
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  739-6213
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN6140L-7, 2.9 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  DMN6140L-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1120
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4620DY-T1-GE3, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SI4620DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3237
  
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• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDPF770N15A, 10 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FDPF770N15A
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-8625
  
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• Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET BSC16DN25NS3 G, 10.9 A, Vds=250 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 8.6 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  BSC16DN25NS3G
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  906-4454
  
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