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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW20NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  486-3114
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP46N15, 45 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP46N15
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5124
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3077PBF, 160 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP3077PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6970
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3306PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-7077
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STV240N75F3, 240 A, Vds=75 V, 10引脚 PowerSO封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STV240N75F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0253
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHP30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SiHP30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9348
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG30N60E-GE3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SiHG30N60E-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9421
  
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• Fairchild Semiconductor P沟道 Si MOSFET FQB34P10TM_F085, 33 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQB34P10TM_F085
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  808-8998
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP20NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  809-1584
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD100N04-3M6L_GE3, 100 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SQD100N04-3M6L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  819-3939
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP70N10, 57 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQP70N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5174
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF70N10, 35 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220F封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQPF70N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-5307
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP3306PBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP3306PBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  688-6982
  
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• STMicroelectronics STripFET F3 系列 Si N沟道 MOSFET STP160N75F3, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 TO-220封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STP160N75F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  761-0027
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG460B-GE3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIHG460B-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9178
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB3306GPBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFB3306GPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-3940
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS3306TRLPBF, 160 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFS3306TRLPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-4098
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQD50N04-4M5L-GE3, 50 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252AA封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SQD50N04-4M5L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4359
  
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• STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW20NK50Z, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STW20NK50Z
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  920-6698
  
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• Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQA70N10, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3PN封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  FQA70N10
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  671-4963
  
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• STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB160N75F3, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  STB160N75F3
  品牌：
  STMicroelectronics
  库存编号：
  760-9828
  
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• Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHF30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIHF30N60E-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9322
  
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• Vishay E Series 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 SIHG30N60E-E3, 29 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  SIHG30N60E-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  768-9338
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFS3306, 120 A，160 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  AUIRFS3306
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  784-9174
  
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• Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP460BPBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  规格：典型栅极电荷@Vgs 85 nC @ 10 V,
• 制造商零件编号：
  IRFP460BPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9140
  
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