品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
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Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK35A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5110
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5122
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39J60W5,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5135
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5138
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6211
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39J60W5,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2363
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2372
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK35N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6208
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39N60W,S1VF(S, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39N60W,S1VF(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6218
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35A65W,S5X(M, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK35A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2353
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK35N65W,S1F(S
品牌:
Toshiba
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39J60W5,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39J60W5,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
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Toshiba N沟道 Si MOSFET TK39J60W,S1VQ(O, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39J60W,S1VQ(O
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Toshiba
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK35N65W,S1F(S, 35 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK35N65W,S1F(S
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Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK39A60W,S4VX(M, 39 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6202
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品牌:Toshiba,规格:典型输入电容值@Vds 4100 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK39A60W,S4VX(M
品牌:
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