规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 IRFI9640GPBF, 6.1 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
IRFI9640GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-1128
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPW11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
SPW11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3213
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET MTD6N15T4G, 6 A, Vds=150 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
MTD6N15T4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
808-0057
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQB5N90TM, 5.4 A, Vds=900 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
FQB5N90TM
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
808-9001
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Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD30N06S4L-23, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
IPD30N06S4L-23
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4593
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPP11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
SPP11N65C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8807
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB23N15DPBF, 23 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
IRFB23N15DPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
865-5778
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N65C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
SPA11N65C3
品牌:
Infineon
库存编号:
110-7780
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFIZ34GPBF, 20 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
IRFIZ34GPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4796
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
SPA11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8467
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPI12N50C3, 11.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
SPI12N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8762
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI11N65C3XKSA1, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
SPI11N65C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8769
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Infineon CoolMOS C3 系列 N沟道 Si MOSFET SPP12N50C3, 11.6 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
SPP12N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8801
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5305SPBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
IRF5305SPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4836
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPB11N60C3, 11 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
SPB11N60C3
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8473
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPA12N50C3, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
SPA12N50C3
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3140
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPF30PBF, 3.6 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-247AC封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
IRFPF30PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2752
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF5305PBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
IRF5305PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-4924
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Infineon CoolMOS C3 系列 Si N沟道 MOSFET SPI12N50C3XKSA1, 11.6 A, Vds=560 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
SPI12N50C3XKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-8766
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFR5305PBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
IRFR5305PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3893
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7403TRPBF, 8.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
IRF7403TRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-4957
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Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRFU5305PBF, 31 A, Vds=55 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
IRFU5305PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
919-5021
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Toshiba N沟道 MOSFET 晶体管 2SK2610, 5 A, Vds=900 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:典型输入电容值@Vds 1200 pF @ 25 V,
制造商零件编号:
2SK2610
品牌:
Toshiba
库存编号:
247-8988
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