规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK12E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6113
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK12P60W,RVQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6126
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK11A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2875
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12A60W,S5VX(J, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK12A60W,S5VX(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2879
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3P封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK12J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2881
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK12A60W,S5VX(J, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK12A60W,S5VX(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5003
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK12E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5012
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK12P60W,RVQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5019
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK11A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6110
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12J60W,S1VQ(O, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-3PN封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK12J60W,S1VQ(O
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6117
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK12E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
891-2888
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK11A65W,S5X(M, 11.1 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型输入电容值@Vds 890 pF @ 300 V,
制造商零件编号:
TK11A65W,S5X(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5009
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