规格:典型输入电容值@Vds 840 pF@ 25 V,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLL3303PBF, 6.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型输入电容值@Vds 840 pF@ 25 V,
制造商零件编号:
IRLL3303PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
540-9890
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCPF600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型输入电容值@Vds 840 pF@ 25 V,
制造商零件编号:
FCPF600N60Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1127
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCP600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型输入电容值@Vds 840 pF@ 25 V,
制造商零件编号:
FCP600N60Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1149
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 Si N沟道 MOSFET FCD600N60Z, 7.4 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型输入电容值@Vds 840 pF@ 25 V,
制造商零件编号:
FCD600N60Z
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
774-1146
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