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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRFR9010TRPBF, 5.3 A, Vds=50 V, 3引脚 TO-252封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.1 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFR9010TRPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-0638
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS127H6327, 21 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.1 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS127H6327
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0112
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS127, 21 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.1 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS127
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2832
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS126, 21 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.1 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS126
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  753-2838
  
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• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN7022LFG-7, 10.5 A, Vds=75 V, 8引脚 POWERDI3333封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.1 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN7022LFG-7
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  921-1127
  
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• Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS126, 17 mA, Vds=600 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.1 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS126
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  826-8245
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 Si N沟道 MOSFET CSD16322Q5C, 21 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.1 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD16322Q5C
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4694
  
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• Texas Instruments NexFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD16322Q5, 97 A, Vds=25 V, 8引脚 SON封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.1 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD16322Q5
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4697
  
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• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET AUIRFN8401TR, 84 A, Vds=40 V, 8引脚 PQFN封装
  
  规格：典型接通延迟时间 6.1 ns,
• 制造商零件编号：
  AUIRFN8401TR
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  872-4145
  
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