规格:典型接通延迟时间 45 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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NXP N沟道 Si MOSFET BUK9608-55, 75 A, Vds=55 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
BUK9608-55
品牌:
Nexperia
库存编号:
103-8043
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQAF16N50, 11.3 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-3PF封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
FQAF16N50
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4991
搜索
Vishay 双 N沟道 MOSFET 晶体管 SI1912EDH-T1-E3, 1.13 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
SI1912EDH-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3235
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3636, 99 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
AUIRLR3636
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1908
查看其他仓库
NXP Si N沟道 MOSFET PSMN3R8-100BS, 120 A, Vds=100 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
PSMN3R8-100BS
品牌:
Nexperia
库存编号:
798-2956
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK32N100Q3, 32 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-264封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
IXFK32N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1409
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK44N80Q3, 44 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-264封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
IXFK44N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1411
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX44N80Q3, 44 A, Vds=800 V, 3引脚 PLUS247封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
IXFX44N80Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1499
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 PLUS247封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
IXFX64N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1506
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN32N100Q3, 28 A, Vds=1000 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
IXFN32N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7574
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8445, 70 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
FDB8445
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-0821
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDA20N50F, 22 A, Vds=500 V, 2引脚 TO-3PN封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
FDA20N50F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
809-5071
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12E60W,S1VX(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
TK12E60W,S1VX(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6113
搜索
Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK12P60W,RVQ(S, 11.5 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
TK12P60W,RVQ(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6126
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 Si N沟道 MOSFET FDB20N50F, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
FDB20N50F
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-7975
搜索
IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1T550N055T2, 550 A, Vds=55 V, 24引脚 SMPD封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
MMIX1T550N055T2
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2500
查看其他仓库
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
STW13NK100Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
103-1573
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDB088N08, 120 A, Vds=75 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
FDB088N08
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9465
查看其他仓库
Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI7655DN-T1-GE3, 40 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
SI7655DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9257
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK10A60W,S5VX(J, 9.7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
TK10A60W,S5VX(J
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-4999
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Toshiba Si N沟道 MOSFET TK56A12N1,S4X(S, 112 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
TK56A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5163
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK64N60Q3, 64 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
IXFK64N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1427
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFR64N60Q3, 42 A, Vds=600 V, 3引脚 ISOPLUS247封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
IXFR64N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1455
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IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFX32N100Q3, 32 A, Vds=1000 V, 3引脚 PLUS247封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
IXFX32N100Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1487
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI3483CDV-T1-GE3, 7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
规格:典型接通延迟时间 45 ns,
制造商零件编号:
SI3483CDV-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3164
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