规格:典型接通延迟时间 35 ns,
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STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH410N4F7-6AG, 200 A, Vds=40 V, 6针+焊片 H2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STH410N4F7-6AG
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6467
搜索
Magnatec Si P沟道 MOSFET IRF9140, 18 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-3封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IRF9140
品牌:
Magnatec
库存编号:
189-0955
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 P沟道 Si MOSFET STP80PF55, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STP80PF55
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
485-7901
搜索
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP100NF04, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STP100NF04
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
486-2161
搜索
Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCP7N60, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
FCP7N60
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4755
搜索
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDP33N25, 33 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
FDP33N25
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4819
搜索
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDP8860, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
FDP8860
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-4865
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP46N15, 45 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
FQP46N15
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5124
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQPF7N80C, 6.6 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
FQPF7N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5310
搜索
STMicroelectronics STripFET II 系列 Si N沟道 MOSFET STB100NF04T4, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STB100NF04T4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
687-5093
搜索
IXYS HiperFET, Q-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFK32N50Q, 32 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IXFK32N50Q
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5386
查看其他仓库
Taiwan Semiconductor Si P沟道 MOSFET TSM2313CX RFG, 3.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
TSM2313CX RFG
品牌:
Taiwan Semiconductor
库存编号:
743-6068
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STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STFW4N150, 4 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STFW4N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0503
查看其他仓库
STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 Si MOSFET STB60NF06LT4, 60 A, Vds=60 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STB60NF06LT4
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
795-6944
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET 晶体管 TK40E10N1,S1X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
TK40E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5144
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IXYS HiperFET, Polar3 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK98N50P3, 98 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-264封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IXFK98N50P3
品牌:
IXYS
库存编号:
802-4414
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STB30NF20, 30 A, Vds=200 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
STB30NF20
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
810-7499
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Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SI5997DU-T1-GE3, 4.1 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
SI5997DU-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1365
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB50R299CP, 12 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPB50R299CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5158
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Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPD50R520CP, 7.1 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPD50R520CP
品牌:
Infineon
库存编号:
827-5334
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Infineon CoolMOS CP 系列 N沟道 Si MOSFET IPI50R250CP, 13 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPI50R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4697
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Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP80P03P4-05, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
IPP80P03P4-05
品牌:
Infineon
库存编号:
857-7019
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Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDMS86500DC, 108 A, Vds=60 V, 8引脚 Power 56封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
FDMS86500DC
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-5011
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Fairchild Semiconductor SuperFET 系列 N沟道 Si MOSFET FCD7N60TM_WS, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
FCD7N60TM_WS
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1255
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK40E10N1,S1X(S, 90 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 35 ns,
制造商零件编号:
TK40E10N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2388
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