规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
BSS87
品牌:
Nexperia
库存编号:
752-8249
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPD105N04L G, 40 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
IPD105N04L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5468
查看其他仓库
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTA4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
NTA4153NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
773-7872
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NVE4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
NVE4153NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
867-3280
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2B14FHTA, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
ZXMN2B14FHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
922-8036
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET ZXMN2B14FHTA, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
ZXMN2B14FHTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2636
搜索
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET 晶体管 IPS105N03L G, 35 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-251封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
IPS105N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5503
搜索
Texas Instruments FemtoFET 系列 N沟道 Si MOSFET CSD13381F4T, 2.1 A, Vds=12 V, 3引脚 PICOSTAR封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
CSD13381F4T
品牌:
Texas Instruments
库存编号:
823-9231
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDG1024NZ, 1.2 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
FDG1024NZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
864-8142
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ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTA4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-416封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
NTA4153NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
103-5120
搜索
ON Semiconductor N沟道 Si MOSFET NTE4153NT1G, 915 mA, Vds=20 V, 3引脚 SC-89封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
NTE4153NT1G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
780-0557
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Infineon SIPMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSS87H6327XTSA1, 260 mA, Vds=240 V, 3引脚 SOT-89封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
BSS87H6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0074
搜索
DiodesZetex Si P沟道 MOSFET DMP6110SSS-13, 4.5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 3.7 ns,
制造商零件编号:
DMP6110SSS-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1151
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