规格:典型接通延迟时间 40 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP8N80C, 8 A, Vds=800 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
FQP8N80C
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5199
搜索
Vishay Si P沟道 MOSFET SI2309CDS-T1-GE3, 1.2 A, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
SI2309CDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3250
搜索
IXYS HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET IXFK44N60, 44 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-264AA封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IXFK44N60
品牌:
IXYS
库存编号:
711-5358
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPB60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPB60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
752-8356
查看其他仓库
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R250CP, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPP60R250CP
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3049
搜索
Toshiba Si N沟道 MOSFET TK42A12N1,S4X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
TK42A12N1,S4X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5148
搜索
Toshiba N沟道 Si MOSFET 晶体管 TK7A60W,S4VX(M, 7 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
TK7A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5201
查看其他仓库
Toshiba N沟道 Si MOSFET TK8A60W,S5VX(M, 8 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
TK8A60W,S5VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
799-5211
搜索
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXFB100N50Q3, 100 A, Vds=500 V, 3引脚 PLUS264封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IXFB100N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
801-1364
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 Si MOSFET IXFN100N50Q3, 82 A, Vds=500 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IXFN100N50Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7565
查看其他仓库
IXYS HiperFET, Q3-Class 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IXFN82N60Q3, 66 A, Vds=600 V, 4引脚 SOT-227B封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IXFN82N60Q3
品牌:
IXYS
库存编号:
804-7587
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor UniFET 系列 N沟道 Si MOSFET FDPF16N50T, 16 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
FDPF16N50T
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3598
查看其他仓库
Toshiba TK 系列 N沟道 Si MOSFET TK5A60W,S4VX(M, 5.4 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220SIS封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
TK5A60W,S4VX(M
品牌:
Toshiba
库存编号:
827-6242
搜索
Infineon OptiMOS T2 系列 N沟道 Si MOSFET IPD30N06S4L-23, 30 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPD30N06S4L-23
品牌:
Infineon
库存编号:
857-4593
搜索
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPI60R250CPAKSA1, 12 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-262封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPI60R250CPAKSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6700
查看其他仓库
Infineon OptiMOS T2 系列 Si N沟道 MOSFET IPP120N06S4-03, 120 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPP120N06S4-03
品牌:
Infineon
库存编号:
857-6877
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Fairchild Semiconductor SuperFET II 系列 N沟道 Si MOSFET FCH077N65F_F155, 54 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
FCH077N65F_F155
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
865-1277
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IXYS GigaMOS, HiperFET 系列 Si N沟道 MOSFET MMIX1T600N04T2, 600 A, Vds=40 V, 24引脚 SMPD封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
MMIX1T600N04T2
品牌:
IXYS
库存编号:
875-2475
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Toshiba TK 系列 Si N沟道 MOSFET TK42E12N1,S1X(S, 88 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
TK42E12N1,S1X(S
品牌:
Toshiba
库存编号:
896-2385
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Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB011N04N G, 180 A, Vds=40 V, 7引脚 TO-263封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
IPB011N04N G
品牌:
Infineon
库存编号:
898-6918
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 Si N沟道 MOSFET FQP17N40, 16 A, Vds=400 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
FQP17N40
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5036
搜索
Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQP85N06, 85 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
FQP85N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5187
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Fairchild Semiconductor QFET 系列 N沟道 Si MOSFET FQPF85N06, 53 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220F封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
FQPF85N06
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
671-5313
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STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STP80NF12, 80 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
STP80NF12
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0184
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Fuji Electric Super J-MOS 系列 N沟道 Si MOSFET FMW20N60S1HF, 20 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型接通延迟时间 40 ns,
制造商零件编号:
FMW20N60S1HF
品牌:
Fuji Electric
库存编号:
772-9004
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