品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
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产品描述 / 参考图片
制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SIHP24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9344
搜索
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SIRA04DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9370
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHB24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SiHB24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9316
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG47N60E-GE3, 47 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SiHG47N60E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9332
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Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG460B-GE3, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SIHG460B-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9178
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA06DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SIRA06DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9373
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUM65N20-30-E3, 65 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SUM65N20-30-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-7489
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Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHB28N60EF-GE3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-263封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SiHB28N60EF-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4504
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Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHP28N60EF-GE3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SiHP28N60EF-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4507
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUP57N20-33-E3, 57 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SUP57N20-33-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
708-5014
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Vishay D Series 系列 Si N沟道 MOSFET IRFP460BPBF, 20 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IRFP460BPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9140
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Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIS476DN-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SIS476DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9392
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI1473DH-T1-GE3, 2.3 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-363封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SI1473DH-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3088
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Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHF28N60EF-GE3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SiHF28N60EF-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
903-4500
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Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SiHG24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SiHG24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9335
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Vishay P沟道 Si MOSFET SI2323DDS-T1-GE3, 4.3 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SI2323DDS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3110
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Vishay EF Series 系列 N沟道 Si MOSFET SiHG28N60EF-GE3, 28 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SiHG28N60EF-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
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