规格:典型接通延迟时间 24 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
操作
IXYS HiperFET, Polar 系列 N沟道 Si MOSFET IXTP36N30P, 36 A, Vds=300 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IXTP36N30P
品牌:
IXYS
库存编号:
193-622
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si P沟道 MOSFET IRF7241PBF, 6.2 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IRF7241PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-1459
搜索
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF7473PBF, 6.9 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IRF7473PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
543-2389
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IRLR3110ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4514
搜索
Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET AUIRLR3110Z, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252AA封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
AUIRLR3110Z
品牌:
Infineon
库存编号:
748-1901
搜索
Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET SPB80P06P G, 80 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SPB80P06P G
品牌:
Infineon
库存编号:
753-3166
搜索
Fairchild Semiconductor Si N沟道 MOSFET FDB8832, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-263AB封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
FDB8832
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-8999
搜索
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50Z, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
STP14NK50Z
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0014
搜索
STMicroelectronics MDmesh 系列 N沟道 Si MOSFET STFW3N150, 2.5 A, Vds=1500 V, 3引脚 TO-3PF封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
STFW3N150
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
761-0493
搜索
Vishay E Series 系列 Si N沟道 MOSFET SIHP24N65E-GE3, 24 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SIHP24N65E-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
768-9344
搜索
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFS7440PBF, 208 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IRFS7440PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
784-8975
查看其他仓库
Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA04DP-T1-GE3, 40 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
SIRA04DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9370
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET 3LP01SS-TL-E, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SSFP封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
3LP01SS-TL-E
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
792-5206
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Toshiba TPH 系列 Si N沟道 MOSFET TPH4R606NH, 85 A, Vds=60 V, 8引脚 SOP 高级封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
TPH4R606NH
品牌:
Toshiba
库存编号:
796-5140
搜索
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET 3LP01M-TL-H, 100 mA, Vds=30 V, 3引脚 SC-70封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
3LP01M-TL-H
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
800-9377
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Infineon SIPMOS 系列 Si P沟道 MOSFET BSP315PH6327XTSA1, 1.17 A, Vds=60 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
BSP315PH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9238
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFI4110GPBF, 72 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220ABFP封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IRFI4110GPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
827-3962
搜索
STMicroelectronics STripFET F6 系列 Si N沟道 MOSFET STH175N4F6-2AG, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 H2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
STH175N4F6-2AG
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
876-5660
搜索
STMicroelectronics STripFET F7 系列 Si N沟道 MOSFET STH140N6F7-2, 80 A, Vds=60 V, 2引脚 H2PAK封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
STH140N6F7-2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
906-2836
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLU3110ZPBF, 63 A, Vds=100 V, 3引脚 IPAK封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IRLU3110ZPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
913-3976
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Infineon HEXFET 系列 N沟道 Si MOSFET IRLR3110ZTRPBF, 63 A, Vds=100 V, 3针+焊片 DPAK封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IRLR3110ZTRPBF
品牌:
Infineon
库存编号:
915-5099
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IXYS X2-Class 系列 Si N沟道 MOSFET IXTP8N65X2, 8 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IXTP8N65X2
品牌:
IXYS
库存编号:
917-1479
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STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 N沟道 Si MOSFET STW56N60DM2, 50 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
STW56N60DM2
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
111-6485
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Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRFB4410PBF, 88 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-220AB封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
IRFB4410PBF
品牌:
Infineon
库存编号:
650-4766
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STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 Si MOSFET STP14NK50ZFP, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220FP封装
规格:典型接通延迟时间 24 ns,
制造商零件编号:
STP14NK50ZFP
品牌:
STMicroelectronics
库存编号:
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