规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
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制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
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DiodesZetex Si P沟道 MOSFET ZXMP3A16GTA, 7.5 A, Vds=30 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
ZXMP3A16GTA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2545
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IRF7665S2TR1PBF, 14.4 A, Vds=100 V, 4引脚 DirectFET SB封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
IRF7665S2TR1PBF
品牌:
International Rectifier
库存编号:
716-5381
查看其他仓库
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN26D0UT-7, 230 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-523封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
DMN26D0UT-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4168
搜索
ON Semiconductor Si N沟道 MOSFET NTD14N03RT4G, 14 A, Vds=25 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
NTD14N03RT4G
品牌:
ON Semiconductor
库存编号:
805-1750
搜索
Infineon OptiMOS P 系列 P沟道 Si MOSFET BSS223PWH6327XTSA1, 310 mA, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
BSS223PWH6327XTSA1
品牌:
Infineon
库存编号:
826-9991
搜索
DiodesZetex N沟道 MOSFET 晶体管 DMN10H120SFG-7, 5.3 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
DMN10H120SFG-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0465
查看其他仓库
MagnaChip 双 Si N沟道 MOSFET MDS5652URH, 7.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
MDS5652URH
品牌:
MagnaChip
库存编号:
871-4990
查看其他仓库
Microchip N沟道 Si MOSFET LND01K1-G, 330 mA, Vds=9 V, 5引脚 SOT-23封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
LND01K1-G
品牌:
Microchip
库存编号:
912-5259
搜索
DiodesZetex 双 Si N沟道 MOSFET ZXMN6A25DN8TA, 5 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
ZXMN6A25DN8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
669-7562
搜索
DiodesZetex 双 Si P沟道 MOSFET ZXMP3A16DN8TA, 5.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
ZXMP3A16DN8TA
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
708-2466
搜索
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP114N03L G, 30 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
IPP114N03L G
品牌:
Infineon
库存编号:
754-5496
查看其他仓库
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 双 Si N沟道 MOSFET FDS89161LZ, 2.7 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
FDS89161LZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
806-3670
搜索
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN3067LW-7, 2.6 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
DMN3067LW-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1094
查看其他仓库
DiodesZetex 双 N沟道 Si MOSFET DMN26D0UDJ-7, 240 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-963封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
DMN26D0UDJ-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-4159
查看其他仓库
DiodesZetex Si N沟道 MOSFET ZXMN6A25KTC, 10.7 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
ZXMN6A25KTC
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
751-5363
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86106LZ, 3.2 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
FDT86106LZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9706
搜索
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDT86113LZ, 3.3 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
FDT86113LZ
品牌:
Fairchild Semiconductor
库存编号:
759-9715
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI1330EDL-T1-GE3, 240 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-323封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
SI1330EDL-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
812-3069
搜索
DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN26D0UFB4-7, 240 mA, Vds=20 V, 3引脚 X2-DFN1006封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
DMN26D0UFB4-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
822-2560
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DiodesZetex N沟道 Si MOSFET DMN2020UFCL-7, 9 A, Vds=20 V, 6引脚 X1-DFN封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
DMN2020UFCL-7
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
921-1054
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Infineon OptiMOS 2 系列 双 Si N沟道 MOSFET BSD235NH6327XT, 950 mA, Vds=20 V, 6引脚 SOT-363封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
BSD235NH6327XT
品牌:
Infineon
库存编号:
827-0115
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DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN10H120SFG-13, 5.3 A, Vds=100 V, 8引脚 POWERDI3333封装
规格:典型接通延迟时间 3.8 ns,
制造商零件编号:
DMN10H120SFG-13
品牌:
DiodesZetex
库存编号:
827-0529
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