以下搜索结果

• 产品描述 / 参考图片
• 制造商零件编号 / 制造商 / 库存编号
• 操作

• DiodesZetex P沟道 Si MOSFET ZXM62P02E6TA, 2.3 A, Vds=20 V, 6引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 4.1 ns,
• 制造商零件编号：
  ZXM62P02E6TA
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  155-248
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 N沟道 Si MOSFET BSS214NWH6327XTSA1, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：典型接通延迟时间 4.1 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS214NWH6327XTSA1
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0030
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 四 Si N沟道 MOSFET FDMQ8403, 9 A, Vds=100 V, 12引脚 MLP封装
  
  规格：典型接通延迟时间 4.1 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMQ8403
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  760-5905
  
• 
  搜索

• Texas Instruments FemtoFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD25481F4T, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  规格：典型接通延迟时间 4.1 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD25481F4T
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  823-9262
  
• 
  搜索

• Infineon OptiMOS 系列 N沟道 Si MOSFET BSS214NH6327XT, 1.5 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-323封装
  
  规格：典型接通延迟时间 4.1 ns,
• 制造商零件编号：
  BSS214NH6327XT
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  827-0058
  
• 
  搜索

• Texas Instruments FemtoFET 系列 P沟道 Si MOSFET CSD25481F4, 2.5 A, Vds=20 V, 3引脚 PICOSTAR封装
  
  规格：典型接通延迟时间 4.1 ns,
• 制造商零件编号：
  CSD25481F4
  品牌：
  Texas Instruments
  库存编号：
  827-4925
  
• 
  搜索

• Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 四 Si N沟道 MOSFET FDMQ8403, 9 A, Vds=100 V, 12引脚 MLP封装
  
  规格：典型接通延迟时间 4.1 ns,
• 制造商零件编号：
  FDMQ8403
  品牌：
  Fairchild Semiconductor
  库存编号：
  864-4790
  
• 
  搜索

• Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRLML2030TRPBF, 2.7 A, Vds=30 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  规格：典型接通延迟时间 4.1 ns,
• 制造商零件编号：
  IRLML2030TRPBF
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  725-9353
  
• 
  搜索

• DiodesZetex Si N沟道 MOSFET DMN1150UFB-7B, 1.4 A, Vds=12 V, 3引脚 X1-DFN1006封装
  
  规格：典型接通延迟时间 4.1 ns,
• 制造商零件编号：
  DMN1150UFB-7B
  品牌：
  DiodesZetex
  库存编号：
  790-4583
  
• 
  查看其他仓库

• Infineon OptiMOS 系列 Si N沟道 MOSFET BSC024NE2LS, 100 A, Vds=25 V, 8引脚 TDSON封装
  
  规格：典型接通延迟时间 4.1 ns,
• 制造商零件编号：
  BSC024NE2LS
  品牌：
  Infineon
  库存编号：
  825-9165
  
• 
  搜索