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• Vishay N沟道 MOSFET 2N7002K-T1-E3, 300 mA, Vds=60 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  2N7002K-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-2706
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4168DY-T1-GE3, 24 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4168DY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3192
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI8487DB-T1-E1, 6.2 A, Vds=30 V, 4引脚 微型支脚封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SI8487DB-T1-E1
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1429
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET IRFPS43N50KPBF, 47 A, Vds=500 V, 3引脚 Super-247封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFPS43N50KPBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-1522
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2333DS-T1-E3, 4.1 A, Vds=12 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2333DS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4691
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI5410DU-T1-GE3, 12 A, Vds=40 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SI5410DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1315
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SUP75P03-07-E3, 75 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SUP75P03-07-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-5171
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI3477DV-T1-GE3, 8 A, Vds=12 V, 6引脚 TSOP封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SI3477DV-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3160
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIA416DJ-T1-GE3, 11.3 A, Vds=100 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SIA416DJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1441
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET 晶体管 SI4403BDY-T1-E3, 7.3 A, Vds=20 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4403BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3336
  
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• Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI2323DS-T1-E3, 3.7 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2323DS-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4698
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SIA445EDJ-T1-GE3, 12 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SIA445EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9285
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SIZ702DT-T1-GE3, 13.8 A，14 A, Vds=30 V, 6引脚 PowerPAIR封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 25 ns,
• 制造商零件编号：
  SIZ702DT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1326
  
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