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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM110N06-3M4L-E3, 110 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 22 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM110N06-3M4L-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5010
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SiHP18N50C-E3, 17 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 22 ns,
• 制造商零件编号：
  SiHP18N50C-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  815-2689
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI7405BDN-T1-GE3, 11 A, Vds=12 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 22 ns,
• 制造商零件编号：
  SI7405BDN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1400
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SIA429DJT-T1-GE3, 8.5 A, Vds=20 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 22 ns,
• 制造商零件编号：
  SIA429DJT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1450
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP264PBF, 38 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 22 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP264PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9787
  
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• Vishay D Series 系列 N沟道 Si MOSFET SIHG17N60D-GE3, 17 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 22 ns,
• 制造商零件编号：
  SIHG17N60D-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9165
  
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• Vishay P沟道 Si MOSFET SI2365EDS-T1-GE3, 4.7 A, Vds=20 V, 3引脚 TO-236封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 22 ns,
• 制造商零件编号：
  SI2365EDS-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  812-3139
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR436DP-T1-GE3, 25 A, Vds=25 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 22 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR436DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1288
  
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• Vishay N沟道 Si MOSFET SUM45N25-58-E3, 45 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 22 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM45N25-58-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5026
  
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