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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFPC50APBF, 11 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFPC50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  542-9844
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP450APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP450APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  543-0030
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI4812BDY-T1-E3, 7.3 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4812BDY-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-3355
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4190ADY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9235
  
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• Vishay 双 Si P沟道 MOSFET SIA923EDJ-T1-GE3, 4.5 A, Vds=20 V, 6引脚 SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SIA923EDJ-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1244
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIR484DP-T1-GE3, 17 A, Vds=20 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SIR484DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1281
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFB13N50APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB13N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  918-9856
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFP254PBF, 23 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-247AC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFP254PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-0676
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET IRF9620PBF, 3.5 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRF9620PBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  541-1045
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4840BDY-T1-GE3, 10 A, Vds=40 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4840BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-4736
  
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• Vishay ThunderFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIB456DK-T1-GE3, 6.3 A, Vds=100 V, 6引脚 PowerPAK SC-70封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SIB456DK-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9294
  
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• Vishay PowerPAIR 系列 双 Si N沟道 MOSFET SIZ904DT-T1-GE3, 9.5 A，14.5 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAIR封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SIZ904DT-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1320
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI5902BDC-T1-GE3, 3.7 A, Vds=30 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SI5902BDC-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1340
  
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• Vishay Si P沟道 MOSFET SI5853DDC-T1-E3, 3.5 A, Vds=20 V, 8引脚 1206 ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SI5853DDC-T1-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1343
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI5936DU-T1-GE3, 6 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK ChipFET封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SI5936DU-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-1356
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM18N25-165-E3, 10.4 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM18N25-165-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7473
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SUM40N15-38-E3, 40 A, Vds=150 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM40N15-38-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  818-7486
  
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• Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SI9945BDY-T1-GE3, 5.3 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SI9945BDY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4189
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SI4190ADY-T1-GE3, 18 A, Vds=100 V, 8引脚 SOIC封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SI4190ADY-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  919-4233
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET IRFB13N50APBF, 14 A, Vds=500 V, 3引脚 TO-220AB封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  IRFB13N50APBF
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  708-4759
  
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• Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SUM27N20-78-E3, 27 A, Vds=200 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SUM27N20-78-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5023
  
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• Vishay P沟道 MOSFET SUD45P03-10-E3, 15 A, Vds=30 V, 3引脚 DPAK封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SUD45P03-10-E3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  710-5058
  
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• Vishay TrenchFET 系列 Si N沟道 MOSFET SIRA14DP-T1-GE3, 58 A, Vds=30 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SIRA14DP-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9389
  
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• Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQM120N04-1m7L-GE3, 120 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-263封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SQM120N04-1m7L-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  787-9516
  
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• Vishay Si N沟道 MOSFET SIS438DN-T1-GE3, 14.3 A, Vds=20 V, 8引脚 PowePAK 1212封装
  
  品牌：Vishay,规格：典型接通延迟时间 15 ns,
• 制造商零件编号：
  SIS438DN-T1-GE3
  品牌：
  Vishay
  库存编号：
  814-1310
  
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