品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
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Vishay Si N沟道 MOSFET SUD06N10-225L-GE3, 6.5 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SUD06N10-225L-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-5008
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Vishay SQ Rugged 系列 Si P沟道 MOSFET SQD19P06-60L_GE3, 11 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-252AA封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SQD19P06-60L_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3936
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRF624SPBF, 4.4 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
IRF624SPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
543-2036
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI2328DS-T1-GE3, 1.15 A, Vds=100 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SI2328DS-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9229
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ2310ES-T1_GE3, 6 A, Vds=20 V, 3引脚 SOT-23封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SQ2310ES-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9443
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SIHF614S-GE3, 2.7 A, Vds=250 V, 3引脚 D2PAK封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SIHF614S-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
815-2626
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Vishay SQ Rugged 系列 Si N沟道 MOSFET SQ4850EY-T1-GE3, 12 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SQ4850EY-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
819-3923
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR224PBF, 3.8 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
IRFR224PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
542-9945
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Vishay N沟道 MOSFET SI4800BDY-T1-E3, 6.5 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SI4800BDY-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3351
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Vishay P沟道 MOSFET 晶体管 SI3457BDV-T1-E3, 3.7 A, Vds=30 V, 6引脚 TSOP封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SI3457BDV-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4705
查看其他仓库
Vishay Si N沟道 MOSFET SIR698DP-T1-GE3, 7.5 A, Vds=100 V, 8引脚 PowerPAK SO封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SIR698DP-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9345
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQ4920EY-T1_GE3, 8 A, Vds=30 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SQ4920EY-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9462
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Vishay 双 Si N沟道 MOSFET SQ4946AEY-T1_GE3, 7 A, Vds=60 V, 8引脚 SOIC封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SQ4946AEY-T1_GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
787-9471
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFR224TRPBF, 3.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-252封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
IRFR224TRPBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0622
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Vishay Si P沟道 MOSFET SI7117DN-T1-GE3, 1.7 A, Vds=150 V, 8引脚 PowerPAK 1212封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SI7117DN-T1-GE3
品牌:
Vishay
库存编号:
818-1387
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI2328DS-T1-E3, 1.15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-236封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SI2328DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
919-0278
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU214PBF, 2.2 A, Vds=250 V, 3引脚 IPAK封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
IRFU214PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
708-4838
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Vishay Si N沟道 MOSFET SI2328DS-T1-E3, 1.15 A, Vds=100 V, 3引脚 TO-236封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SI2328DS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-3266
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Vishay N沟道 MOSFET 晶体管 SI2306BDS-T1-E3, 3.1 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-236封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
SI2306BDS-T1-E3
品牌:
Vishay
库存编号:
710-4676
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Vishay Si N沟道 MOSFET IRFU224PBF, 3.8 A, Vds=250 V, 3引脚 TO-251封装
品牌:Vishay,规格:典型接通延迟时间 7 ns,
制造商零件编号:
IRFU224PBF
品牌:
Vishay
库存编号:
812-0679
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